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蘇州中頻感應(yīng)加熱機-輸出功率半導(dǎo)體技術(shù)的融合
發(fā)布者：吉宇鵬時間：2011-06-17 00:00:00
高頻感應(yīng)加設(shè)備的輸出功率如何調(diào)整
高頻感應(yīng)加熱設(shè)備的選擇要求，蘇州吉宇鵬推薦優(yōu)先考慮
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在50時代前,感應(yīng)加熱機關(guān)鍵有:工頻感應(yīng)熔煉機,電磁倍頻器,中頻發(fā)電機組和電子管震動器式高壓電源。50時代末可控硅的出現(xiàn)則意味著固體集成電路工藝為關(guān)鍵的現(xiàn)代電力電子學(xué)的剛開端。硅晶閘管的出現(xiàn)促進了感應(yīng)力熱電源及中頻感應(yīng)加熱機應(yīng)用的迅猛成長。
70時代末到80時代初,現(xiàn)代半導(dǎo)體材料微型機集成化臨盆加工技巧性與輸出功率半導(dǎo)體技巧的融合,為開辟設(shè)計新式輸出功率集成電路工藝出示了標準,陸續(xù)出現(xiàn)了一大年夜批全控型電力電子技巧集成電路工藝,巨大年夜地促進了電力電子學(xué)成長趨勢,為固態(tài)超音頻、高頻電源、中頻感應(yīng)加熱機的研發(fā)出示了堅實的基本。
迄今,在高頻(500Hz~10kHz)范圍之內(nèi),可控硅中頻感應(yīng)加熱機機已*替代了傳統(tǒng)式的中頻發(fā)電機組和電磁感應(yīng)倍頻器。在高頻率范圍之內(nèi),因為晶閘管自身電源開關(guān)特點等重要參數(shù)的限制,給研發(fā)該頻率段的開關(guān)電源產(chǎn)生了挺大年夜的技巧程度,它務(wù)必根據(jù)更改電源電路拓撲構(gòu)造才有將會保持。
1983年IGBT的面世進-步促進了感應(yīng)加熱機的成長趨勢，IGBT綜合性了MOS和雙極晶體管的優(yōu)勢,具備通態(tài)壓削減,電源開關(guān)速度更快,易驅(qū)動器等優(yōu)勢,自1988年處理了擎住難題后,功率髙速IGBT己變成諸多中頻感應(yīng)加熱機的*元器件,頻率達到100kHz輸出功率達到MW級開關(guān)電源已可保持。
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吉宇鵬研制生產(chǎn)的感應(yīng)加熱設(shè)備有：手持式、數(shù)字式、中頻、超音頻、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備及淬火機床、感應(yīng)加熱專用成套熱設(shè)備等。在釬焊焊接、退火淬火、透熱、熔煉等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用并用戶的一致好評
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